忆阻（Memristor）是美国加利福尼亚大学伯克利分校的科学家蔡少堂于1971年提出，蔡少堂教授从数学与电路理论上预言，除电容、电感和电阻外，电子电路还应存在第四种基本元件—忆阻。蔡少棠教授指出，电压v、电流i、电荷v和磁通φ，这4个基本电路变量之间应该存在六种数学关系：电流定义为电荷关于时间的导数it=dq(t)/dt ；电压是磁通量关于时间的导数R=dv(t)/di(t)；电阻定义为电压随着电流的变化率R=dv(t)/di(t);电容定义为电荷随着电压的变化率C=dq(t)/dv(t)；电感定义为磁通量随着电流的变化率L=dφ/di(t)。还有一个问题是缺少了一种能够将电荷q(t)与磁通量φ(t)关联起来的电路元件，而这种元件即由电荷q(t)与磁通量φ(t)之间的关系来定义。

美国惠普公司实验室的斯坦•威廉斯和其同事在进行极小型电路实验时终于制造出忆阻的实物[2,3]，其成果发表在2008年5月的《自然》(Nature)杂志上。在美国《时代》杂志“2008年50项最佳发明”、美国《连线》杂志“2008年十大科技突破”、《PC World》杂志“彻底改变生活的未来15大技术”评选中，“忆阻”名列前茅。忆阻的发现足以媲美100年前发明的三极管，其任何一项产业化应用都可能带来新一轮的产业革命。

该方向主要研究内容：忆阻神经网络、基于忆阻的情感生成与演化、智能感知、类脑导航等。